半导体功能涂层材料系列
Semiconductor Functional Materials
- 异构聚合物功能结构材料
- Hybrid Polymer Functional Structuring Materials
特殊聚合物i-line 负性厚膜光刻胶系列具有类似SU-8性能,采用安全溶剂,具有曝光能量低、清晰度高、分辨率高、光刻工艺成品率高、抗蚀刻-抗电镀能力强等诸多优点。形成膜厚厚度高达50um以上,适应湿法与干法蚀刻工艺、具有脱膜容易的特点。适用于各类衬底Substrate上的投影式、接近式和接触式曝光成像工艺以及湿法和干法蚀刻工艺要求;广泛应用于多层MEMS传感器芯片、分离器件制造等High Aspect Ratio工艺。
产品系列:
NPR 2500L 光刻胶系列
- 高纵宽比(High aspect ratio)
- 湿法-干蚀刻(Wet & Dry Etching) 及其干法去膜应用
- 抗蚀刻、抗电镀应用;
- 高耐热稳定性(High thermal stability)
- 工艺宽容度(Wide process windows);
- 线宽线距2.0 µm to >10.0 µm ;
- 旋转涂布形成6 to 50 µm膜厚。
- 参数介绍:《SP-NPR 2500L 中文2018版本-SGT01》,请点击获取。
- 半导体功能涂层材料-芯片介质及芯片封装应用
- Dielectric & Packaging Functional Materials
介质与封装i-line 负性厚膜光刻胶系列采用安全溶剂,具有曝光能量低、清晰度高、分辨率高、光刻工艺成品率高、抗蚀刻-抗电镀能力强等诸多优点。广泛应用于多层MEMS、传感器、器件的钝化层、永久保护层、隔离层等封装工艺。适用于各种衬底上的投影式、接近式和接触式成像设备工艺以及湿法和干法蚀刻工艺要求:
- 高纵宽比 (High aspect ratio)
- 适用于湿、干蚀刻 (Wet & Dry Etching)
- 高耐热稳定性 (High thermal stability)
- 高工艺宽容度 (Wide process windows)
- 线宽线距 L/S: 2.0 µm ~ > 10.0 µm
- 膜厚 3 µm to 10 µm (旋转涂布,Spin-Coating)
产品系列:
NPCM 6300 Polyimide Isolation (PII) 隔离胶系列
- NPCM6300PII 为非感光型聚酰亚胺隔离胶,具有低介电常数、中温环化、高耐温、高绝缘等特点。可在高反光基底材质上形成厚度 4.0 至15.0µm 涂层。
- 参数介绍:《SP-PCM6300PIIR 中文2018版本-SGT01》,请点击获取。
C46870PIC 负性光成像隔离胶系列
- 适合用于接触式、接近式、投影式曝光 2.0 至 20µm厚膜涂层应用
- 参数介绍:《SP-C46870PIC 中文2018版本-SGT01》,请点击获取。
C46875PIC 负性光成像隔离胶系列
- 适合用于接触式、接近式曝光 4.0 至 20.0µm厚膜涂层应用
- 参数介绍:《SP-C46875PIC 中文2018版本-SGT01》,请点击获取。
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